REPUBLIKA.CO.ID, JAKARTA -- Samsung Electronics Co. mengatakan bahwa pihaknya telah memulai produksi massal semikonduktor 3-nanometer, meningkatkan kinerja di simpul proses pembuatan chip paling canggih. Chip 3nm generasi berikutnya dibangun di atas teknologi Gate-All-Around (GAA).
Teknologi ini menurut Samsung pada akhirnya akan memungkinkan pengurangan area hingga 35 persen sambil memberikan kinerja 30 persen lebih tinggi dan konsumsi daya 50 persen lebih rendah, dibandingkan dengan proses FinFET yang ada. Samsung mengatakan, generasi pertama dari node proses 3nm mencapai pengurangan area 16 persen, kinerja 23 persen lebih tinggi dan konsumsi daya 45 persen lebih rendah.
Kemajuan dalam teknologi pembuatan chip yang canggih diharapkan dapat membawa lebih banyak pelanggan Samsung yang mencari semikonduktor inovatif dan kuat yang akan memungkinkan produk teknologi lebih cepat dan lebih efisien.
"Samsung telah berkembang pesat karena kami terus menunjukkan kepemimpinan dalam menerapkan teknologi generasi berikutnya untuk manufaktur," kata president and head of Samsung's foundry business Choi Si-young dikutip dari Yonhap, Jumat (1/7/2022).
"Kami akan terus mengembangkan teknologi inovatif dan bekerja untuk mengamankan proses teknologi yang matang dengan cepat," tambah dia.
